另辟蹊径，9纳米光刻样机问世，我国突破了西方的“技术壁垒”！

梦似深海 · 发表于 2019-4-18 13:40:04

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随着电子化进程的推进，我们的生活生产中，电子设备已经成为不可或缺的存在。不仅如此，在各种武器装备方面，电子化也有着非常明显的优势，但需要指出的是，电子设备的优异性就是由电子芯片决定的，但我们都知道，在芯片方面我们同世界前列还有着一段距离。不过近日从武汉传出喜讯，我国科学家另辟蹊径，突破极限，创造了一项新奇迹。

据媒体近日的报道称，武汉光电国家研究中的甘棕松团队，采用二束激光在自研的光刻机上突破了光束衍射极限的限制，光刻出了最小9纳米线宽的线段，另辟蹊径突破了西方国家的“技术壁垒”。

作为集成电路生产制造过程中的关键设备，光刻机的相关技术一直被荷兰ASML公司这样顶尖的企业所垄断，而我们要想购买这些企业先进设备也困难重重，去年，中国企业采购一块最新的光刻机就在最后交货的关键时刻，荷兰ASML方面就出现了车间着火的意外。
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正因为这样，我们制造自己的光刻机已经刻不容缓，但是鉴于专利技术壁垒，我们要制造自己的光刻机还得使用ASML公司没使用过的方法，这也无形中增加了我们在这一方面取得突破的难度。

光刻机的每个部件都可以说是科技含量很高，其研发难度甚至还要超过航空发动机，其能光刻的最细线宽就最终决定了芯片的性能高低。需要指出的是，早在两年前华中科技大学国家光电实验室实际上就已经实现了9纳米线宽的光刻，此次又另辟蹊径取得成功，也就意味着在9纳米层级我们的技术已经非常熟练，将可以走出实验室，走向工业化生产。
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2019年全国电子信息行业工作座谈会

在近日举行的2019年全国电子信息行业工作座谈会上，工信部电子信息司集成电路处处长任爱光就表示，在过去的一年里，我国集成电路设计业产业规模正在不断壮大，去年我国集成电路产业的销售额就已经达到了6532亿元。

根据相关数据来看，我国集成电路产业的结构正变得越来越优化和完整，整体符合增长率已经达到全球的近三倍。同时中国的集成电路设计水平也非常值得期待，目前在设计水平方面我们也达到了7纳米的水平，并且14纳米逻辑工艺也开始量产，整体产业的集中度得到了进一步的提高。这次9纳米的光刻机技术的突破，将会为我国在该领域受制于人的范围缩小。
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不过要指出的是，虽然我们取得了诸多的突破，但我们离国际先进还是有着一段距离的，其中逻辑工艺方面就存在着差不多两代的差距。但是根据中国科学家们出成果的频率以及国家的投入，相信我们将会很快实现自给自足。

曾经，欧洲的一些工程师就对我国的高层表示，即使把所有的图纸技术指标参数都告诉我们，我们也不能够同他们一样造出优秀的光刻机。然而，但凡中国有一些突破取得一些成就的时候，他们就开始声称，中国从他们那里窃取了技术。但是实际上，中国科学家使用完全不同方法实现了同样的结果，这可能是他们没有想到的。

反正对于西方国家来说，只要是中国取得了进步，就都是抄他们的，殊不知其中有些技术连他们自己也没有。尽管我们在这一方面同西方还有很大的差距，但只要我们一起努力，我们一定能推平挡住在面前的壁垒。